BST9900-DR  单晶硅微差压变送器

•   1、单晶硅微差压变送器中间传感器接纳环球抢先的、入口的复合多重微硅固态传感器，较之传统的金属电容压力/差压变送器精度、不变性、抗搅扰能力有大幅度的前进，最高可达0.1级的铂金级精度；
  2、OLED点阵显现器、视角广、画质平均、任务温度宽﹣40℃～﹢80℃；
  3、单晶硅微差压变送器任务压力分为16MPa、25MPa和40MPa三档，单向过载压力最高到40MPa；
  4、差压变送器可选封装静压传感器，可用于现场任务静压的丈量和显现，也可利用于静压弥补，静压机能极佳，静压偏差最优≤±0.05%FS/10MPa；
  5、单晶硅微差压变送器接纳环球抢先的无传压消耗过载掩护手艺，单向过压最高达7MPa，即满量程的1166倍；
  6、传感器外部集成高活络度温度传感器，变送器温机能极佳，最优≤±0.04%FS/10kPa；
  7、全不锈钢316L硅油充灌焊接密封布局；
  8、不变靠得住，持久漂移为±0.1%FS/3年，10年免掩护；
  9、最高100：1的可调节量程比。
  
• BST9900-DRpara1
•   1、单晶硅微差压变送器中间传感器接纳环球抢先的、入口的复合多重微硅固态传感器，较之传统的金属电容压力/差压变送器精度、不变性、抗搅扰能力有大幅度的前进，最高可达0.1级的铂金级精度；
  2、OLED点阵显现器、视角广、画质平均、任务温度宽﹣40℃～﹢80℃；
  3、单晶硅微差压变送器任务压力分为16MPa、25MPa和40MPa三档，单向过载压力最高到40MPa；
  4、差压变送器可选封装静压传感器，可用于现场任务静压的丈量和显现，也可利用于静压弥补，静压机能极佳，静压偏差最优≤±0.05%FS/10MPa；
  5、单晶硅微差压变送器接纳环球抢先的无传压消耗过载掩护手艺，单向过压最高达7MPa，即满量程的1166倍；
  6、传感器外部集成高活络度温度传感器，变送器温机能极佳，最优≤±0.04%FS/10kPa；
  7、全不锈钢316L硅油充灌焊接密封布局；
  8、不变靠得住，持久漂移为±0.1%FS/3年，10年免掩护；
  9、最高100：1的可调节量程比。
  para120
• BST9900系列单晶硅微差压变送器的根基道理是、将一个空间用敏感元件（多用膜盒）朋分成两个腔室，别离向两个腔室引入压力时，传感器在两方压力配合感化下发生位移（或位移的趋向），这个位移量和两个腔室压力差（差压）成反比，将这类位移转换成能够或许反应差压巨细的规范旌旗灯号输入 。para3